可以加工氮化鋁陶瓷基片的廠家

   氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性并且還有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，可靠的絕緣性能，優(yōu)良的力學(xué)性能，無(wú)毒，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，且與硅的熱膨脹系數(shù)相近，是非常理想的大規(guī)模集成電路散熱基板材料。但是氮化鋁陶瓷材料的硬度高，脆性大，氮化鋁陶瓷基板的加工難度也是比較高的，鈞杰陶瓷選擇專(zhuān)用陶瓷加工設(shè)備來(lái)進(jìn)行氮化鋁陶瓷基板的精密加工并且具有現(xiàn)代化生產(chǎn)線及精密的檢測(cè)設(shè)備，嚴(yán)格按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和組織生產(chǎn)。與全國(guó)各地眾多的客戶(hù)建立了良好的業(yè)務(wù)關(guān)系，得到了許多客戶(hù)的信任和好評(píng)，了解氮化鋁陶瓷基板加工事宜咨詢(xún)鈞杰陶瓷聯(lián)系電話：136 998 99025。

  氮化鋁（AlN）陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，氮化鋁陶瓷的各項(xiàng)性能指標(biāo)都表明這是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板材料。具有很高的熱導(dǎo)率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導(dǎo)率大于140W/m.k）、較低的介電常數(shù)（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)（4.4×10－4/℃）等優(yōu)點(diǎn)，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無(wú)色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
   氮化鋁陶瓷基片，耐化學(xué)腐蝕，熱導(dǎo)率高，介電損耗小，強(qiáng)度高，膨脹系數(shù)低，耐高溫，電阻率高，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
  氮化鋁陶瓷材料的應(yīng)用廣泛，不光是可以制作基板，氮化鋁陶瓷硬度高,超過(guò)傳統(tǒng)氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造價(jià)高,只能用于磨損嚴(yán)重的部位。利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件，利用光學(xué)性能可作紅外線窗口。氮化鋁陶瓷薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。
  氮化鋁陶瓷材料還可以制作成坩堝氮化鋁陶瓷材料耐熱、耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、耐熔融金屬的侵蝕，對(duì)酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會(huì)反應(yīng)生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化敏瓷在電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。

   主要應(yīng)用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導(dǎo)體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料，廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。 鈞杰陶瓷常年致力于從事特種陶瓷材料的技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造鈞杰陶瓷擁有先進(jìn)的加工設(shè)備,同時(shí)我們公司還有一群一流的加工技術(shù)團(tuán)隊(duì)，并且加工出來(lái)的產(chǎn)品質(zhì)量現(xiàn)在基本上達(dá)到了國(guó)內(nèi)先進(jìn)的水準(zhǔn).鈞杰陶瓷專(zhuān)注于品質(zhì)第一,服務(wù)至上,求實(shí)創(chuàng)新,持續(xù)改善公司的經(jīng)營(yíng)理念,最大限度地提供令客戶(hù)滿意的產(chǎn)品,真誠(chéng)的與廣大新老客戶(hù)攜手合作,永續(xù)經(jīng)營(yíng)之道.客戶(hù)可來(lái)樣來(lái)圖訂制各類(lèi)陶瓷工件，陶瓷結(jié)構(gòu)件。了解氮化鋁陶瓷基板加工事宜咨詢(xún)鈞杰陶瓷聯(lián)系電話：136 998 99025。